GB/T 220-1989 煤对二氧化碳化学反应性测定方法
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基本信息
| 标准名称： | 煤对二氧化碳化学反应性测定方法 |
| 英文名称： | Determination of carboxyreactivity of coal |
| 中标分类： | 矿业 >> 固体燃料矿 >> 固体燃料矿综合 |
| 替代情况： | GB 220-1977;被GB/T 220-2001代替 |
| 发布日期： | 1900-01-01 |
| 实施日期： | 1990-12-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 2002-08-01 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 5页 |
适用范围
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前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 矿业 固体燃料矿 固体燃料矿综合
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基本信息
| 标准名称： | 输液软袋用热转印膜 |
| 英文名称： | Hot stamping foil for infusion bag |
| 中标分类： | 综合 >> 经济、文化 >> 印刷技术 |
| ICS分类： | 成像技术 >> 印制技术 >> 印制材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 发布日期： | 2009-11-17 |
| 实施日期： | 2010-04-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国包装标准化技术委员会 |
| 提出单位： | 中国包装联合会 |
| 归口单位： | 全国包装标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 焦作市卓立烫印材料有限公司、中国包装科研测试中心等 |
| 起草人： | 张举红、张振宇、张铁雷、牛淑梅、耿艳萍等 |
| 出版社： | 中国计划出版社 |
| 出版日期： | 2010-04-01 |
| 页数： | 12页 |
| 书号： | 1580177.313 |
适用范围
本标准规定了输液软袋用热转印膜的产品分类、要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。
本标准适用于以塑料薄膜为基材，经涂布可转印油墨而制成的用于输液软袋的热转印膜。
前言
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目录
1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4 分类 5 试验方法 6 检验规则 7 标志、包装、运输和储存
引用标准
没有内容
所属分类： 综合 经济 文化 印刷技术 成像技术 印制技术 印制材料
【英文标准名称】:TestMethodforQuantifyingTungstenSilicideSemiconductorProcessFilmsforCompositionandThickness【原文标准名称】:定量分析硅化钨半导体加工膜组分和厚度的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1894-1998(2003)
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:1998
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.17
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:定量分析;硅化钨分析;背散射分析;金属膜;组分
【英文主题词】:analysisoftungstensilicide;backscatteringanalysis;composition;metallizationfilms;quantitativeanalysis;RBS;Wsix
【摘要】:ThistestmethodcanbeusedtoensureabsolutereproducibilityofWSixfilmdepositionsystemsoverthecourseofmanymonths.Thetimespanofmeasurementsisessentiallythelifeofmanyprocessdepositionsystems.ThistestmethodcanbeusedtoqualifynewWSixdepositionsystemstoensureduplicabilityofexistingsystems.Thistestmethodisessentialforthecoordinationofglobalsemiconductorfabricationoperationsusingdifferentanalyticalservices.Thistestmethodallowssamplesfromvariousdepositionsystemstobeanalyzedatdifferentsitesandtimes.Thistestmethodisthechosencalibrationtechniqueforavarietyofanalyticaltechniques,including,butnotlimitedto:5.3.1Electronspectroscopyforchemicalanalysis(ESCAorXPS),5.3.2Augerelectronspectroscopy(AES),5.3.3Fouriertransforminfraredredspectroscopy(FTIR),5.3.4Secondaryionmassspectrometry(SIMS),and5.3.5Electrondispersivespectrometry(EDS)andparticleinducedx-rayemission(PIXE).1.1Thistestmethodcoversthequantitativedeterminationoftungstenandsiliconconcentrationsintungsten/silicon(WSIx),semiconductorprocessfilmsusingRutherfordBackscatteringSpectrometry(RBS).(1)ThistestmethodalsocoversthedetectionandquantificationofimpuritiesinthemassrangefromphosphorusA(31atomicmassunits(amu)toantimony(122amu).1.2Thistestmethodcanbeusedfortungstensilicidefilmspreparedbyanydepositionorannealingprocesses,orboth.Thefilmmustbeauniformfilmwithanarealcoveragegreaterthantheincidentionbeam(~2.5mm).1.3Thistestmethodaccuratelymeasureshefollowingfilmproperties:silicon/tungstenratioandvariationswithdepth,tungstendepthprofilethroughoutfilm,WSIx,filmthickness,argonconcentrations(ifpresent),presenceofoxideonsurfaceofWSIxfilms,andtransitionmetalimpuritiestodetectionlimitsof1x1014atoms/cm2.1.4Thistestmethodcandetectabsolutedifferencesinsiliconandtungstenconcentrationsof+/-3and+/-1atomicpercent,respectively,measuredfromdifferentsamplesinseparateanalyses.relativevariationsinthetungstenconcentrationindepthcanbedetectedto+/-0.2atomicpercentwithadepthresolutionof+/-70A.1.5ThistestmethodsupportsandassistsinqualifyingWSIxfilmsbyelectricalresistivitytechniques.1.6ThistestmethodcanbeperformedforWSIxfilmsdepositedonconductingorinsulatingsubstrates.1.7ThistestmethodisusefulforWSIxfilmsbetween20and400mmwithanarealcoverageofgreaterthan1by1mm.1.8Thistestmethodisnon-destructivetothefilmtotheextentofsputtering.1.9Astatisticalprocesscontrol(SPC)ofWSIxfilmshasbeenmonitoredsince1993withreproducibilityto+/-4%.1.10ThistestmethodproducesaccuratefilmthicknessesbymodelingthefilmdensityoftheWSIxfilmasWSI2(hexagonal)plusexcesselementalSI2.Themeasuredfilmthicknessisalowerlimittotheactualfilmthicknesswithanaccuracylessthan10%comparedtoSEMcross-sectionmeasurements(see13.4)1.11Thistestmethodcanbeusedtoanalyzefilmsonwholewafersupto300mmwithoutbreakingthewafers.Thesitesthatcanbeanalyzedmayberestrictedtoconcentricringsnearthewaferedgesfor200-mmand300-mmwafers,dependingonsystemcapabilities.1.12Thisstandarddoesnotpurporttoaddressallofthesafetyconcerns,ifany,associatedwithitsuse.Itistheresponsibilityoftheuserofthisstandardtoestablishappropriatesafetyandhealthpracticesanddeterminetheapplicabilityofregulatorylimitationspriortouse.ThereaderisreferencedtoSection8ofthistestmethod......
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:7P.;A4
【正文语种】: